IPB09N03LA G
Numéro de produit du fabricant:

IPB09N03LA G

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPB09N03LA G-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventaire:

12801310
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SOUMETTRE

IPB09N03LA G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1642 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB09N

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
SP000068859
IPB09N03LAG
IPB09N03LAGXT
IPB09N03LA G-DG

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30BL,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
9945
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30BL,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.58
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN017-30BL,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
1868
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN017-30BL,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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